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NTMFS4108N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
8000
5
30
7000
6000
C iss
T J = 25 ° C
4
Q GS
QT
Q GD
V GS
24
5000
4000
3000
3
2
V DS
18
12
2000
1000
0
0
C oss
C rss
5 10
15 20
25
30
1
0
0
10
20 30
40
I D = 21 A
T J = 25 ° C
50
6
0
60
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 15 V
I D = 1.0 A
V GS = 4.5 V
7
6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
100
t f
4
t d(off)
t r
t d(on)
3
2
1
10
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
1000
100
10
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
1
0 V < V GS < 20 V
SINGLE PULSE
0.1
T A = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
Thermal Limit
dc
0.01
0.01
Package Limit
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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